多功能存储器芯片的测试系统设计:提高芯片测试效率

 行业新闻     |      2021-03-29 08:13
本文摘要:文中明确指出了一种智能存储器芯片的检测系统软件硬件开发与搭建,对各种各样数据位长的多种多样存储器芯片(SRAM、MRAM、NORFALSH、NANDFLASH、EEPROM等)进行了详细的结口电路原理(怎样吊架到NIOSII的系统总线上),最终解决困难了各有不同数据位长的多种多样存储器的同服务平台检测解决方法,并详细地设计方案了各结口的硬件配置搭建方式。

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文中明确指出了一种智能存储器芯片的检测系统软件硬件开发与搭建,对各种各样数据位长的多种多样存储器芯片(SRAM、MRAM、NORFALSH、NANDFLASH、EEPROM等)进行了详细的结口电路原理(怎样吊架到NIOSII的系统总线上),最终解决困难了各有不同数据位长的多种多样存储器的同服务平台检测解决方法,并详细地设计方案了各结口的硬件配置搭建方式。章节目录伴随着电子信息技术的迅猛发展,存储器类芯片的种类更为多,其作业者方法基本上不一样,因而要检测在其中一类存储器类芯片就不容易有一种专用型的存储器芯片检测仪。文中设计方案的多种多样存储器芯片检测系统软件是必须对SRAM、NandFLASH、NorFLASH、MRAM、EEPROM等多种多样存储器芯片进行系统测试,并且每一类又可相溶8位、16位、32位系统、40位等各有不同总宽的系统总线,假如对于每一种商品都分离设计方案一个测试平台,其检测作业者的复杂性是显而易见的。

为超出改动测试流程、扩大检测的复杂性、提高检测高效率、降低检测成本费,兹设计方案一种智能的存储器类芯片检测系统软件,搭建在同一服务平台下顺利完成全部所述存储器芯片的省时省力地检测。结构设计此方案设计依据上述各种各样存储器独自一人的载入时序访谈特点,根据FPGA的协调能力程序编写特点,必需地调节NIOSII的外界系统总线时序,最终搭建根据NIOSII的外界系统总线访谈各种各样存储器载入时序的精确作业者。如图2-1。

根据FPGA自定一个能够吊架全部存储器芯片的系统总线控制模块-ABUS,如表格1。并且在同一个控制模块上必须自动检索各种各样终端设备的被检测存储器芯片,他们根据类型輸出数据信号(CLAS)来区别,每一种存储器芯片相匹配一种特有的作业者时序。下边是几类存储器芯片的控制模块相接方法及数据信号描述。

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其他的存储器芯片都能够用类似的电磁铁吊架到ABUS系统总线上,最终顺利完成检测。图2?1NIOSII的系统总线吊架各种存储器芯片相接平面图表格1:ABUS控制模块数据信号表述表格40位NANDFLASH相接设计方案如图2-2下图,40位NANDFLASH与NIOSII根据ABUS(FPGA)桥接,把外界系统总线的时序基本上转化成NANDFLASH的作业者时序。40位NANDFLASH芯片品由五个独立国家的8位NANDFLASH芯片拼接包括。

五个8位元器件的外界IO口拼接成40位的外界IO口,而分别的控线(NCLE,NALE,NRE,NWE)相接在一起包括一组控线(NCLE,NALE,NRE,NWE),剧中选相互之间独立国家引到成NCS0-NCS9,一天到晚数据信号独立国家引到为R/B0-R/B9。如表格2,简述了40位NANDFLASH与ABUS的相接关联。

图2?2ABUS与40位NANDFLASH控制模块数据图表2,40位NANDFLASH控制模块相接表格40位SRAM与NIOSII相接40位SRM控制模块与NIOSII根据ABUS相接,搭建精确的时序存取数据。检测时,一次只检测8位,分5次顺利完成全部室内空间的检测。

如图2-4。表格4是详细的数据信号相接表述。

图2?4aBUS与40位SRAM相接表格4,40位SRAM控制模块相接表格8位SRAM与NIOSII相接8位SRM控制模块与NIOSII根据ABUS(FPGA)相接,搭建精确的时序存取数据。如图2-5。表格5是数据信号相接表述。

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图2?5ABUS与8位SRAM相接8位SRAM与NIOSII相接8位SRM控制模块与NIOSII根据ABUS(FPGA)相接,搭建精确的时序存取数据。如图2-5。

表格5是数据信号相接表述。


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